再说STM32中使用Flash模拟EEPROM_问答

这是一片讲得很透彻的帖子，其实Flash也没那么难用
原帖：[url]http://www.amobbs.com/thread-5288587-1-1.html[/url]
关于这个话题已经有很多贴了，况且官方也出了操作例程，但是感觉还是比较繁琐！

最近要用到这个功能，例程看了半天还是不怎么明白，最后只好仔细阅读了下，感觉其实挺简单的，就是按照资料上说的操作相关的寄存器就可以了。

附上源程序：

#define             PAGE_ADDR                               (0x08000000 + 63 * 1024)

/***************************************************************************************************
* 函数名称: MemReadByte()
* 函数功能: 从存储器中读出num字节数据
* 入口参数: *dat:读出数据的保存地址
*                      num       :读出的字节数
* 出口参数: 0：操作失败；1：操作成功
* 使用说明: 无
* 创建日期: 2010年12月15日
***************************************************************************************************/
uint8 MemReadByte(uint16 *data,uint16 num)
{
      uint16 *temp_addr = (uint16 *)PAGE_ADDR;

      while(num --)
      {
            *data ++ = *temp_addr ++;
      }

      return 1;
}

/***************************************************************************************************
* 函数名称: MemWriteByte()
* 函数功能: 向存储器中写入num字节数据
* 入口参数: *dat:待写入数据
*                      num       :写入的字节数
* 出口参数: 0：操作失败；1：操作成功
* 使用说明: 无
* 创建日期: 2010年12月15日
***************************************************************************************************/
uint8 MemWriteByte(uint16 *data,uint16 num)
{
      FLASH_Status temp_stat;
      uint32 temp_addr = PAGE_ADDR;

      FLASH_Unlock();                                                                                                       // Flash解锁，允许操作相关的寄存器
      temp_stat = FLASH_ErasePage(PAGE_ADDR);                                                       // 擦出制定的页

      if(temp_stat != FLASH_COMPLETE)
      {
            FLASH_Lock();
            return 0;
      }

      while(num --)
      {
            temp_stat = FLASH_ProgramHalfWord(temp_addr,*data);
            if(temp_stat != FLASH_COMPLETE)
            {
                     FLASH_Lock();
                     return 0;
            }

            temp_addr += 2;
            data++;
      }

      FLASH_Lock();
      return 1;
}

#include "app_cfg.h"

uint16       write_buf[10] = {0,1,2,3,4,5,6,7,8,9};

int main(void)
{
      uint16 cnt;

         STM32Init();

      MemWriteByte(write_buf,10);
      for(cnt = 0;cnt < 10;cnt ++)
      {
            write_buf[cnt] = 11;
      }
      MemReadByte(write_buf,10);

while(1)
{
      ;
}
}

   上面的程序是在63K开始的Flash中写入10个16位的数据，然后在把他读出来，当然在每次写时需要擦除一整页，只要数据不是非常频繁修改，不会影响Flash的使用寿命！

   简单吧，呵呵！

再说STM32中使用Flash模拟EEPROM

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