STD3NK80ZT4小知识

STD3NK80ZT4小知识

描述
      SuperMESHTM系列是通过对ST完善的基于Strip的PowerMESHTM布局进行极端优化而获得的。除了显着降低导通
电阻外，还要特别注意确保在最苛刻的应用中具有非常好的dv / dt能力。
      此类系列补充了ST全系列高压MOSFET，包括革命性的MDmeshTM产品。

特征
■极高的dv / dt能力
■100％雪崩测试
■栅极电荷最小化
■极低的固有电容
■非常好的制造可重复性

规格参数
制造商：ST MICROELECTRONICS       
晶体管类型：N-MOSFET       
技术：SuperMesh
极化：单极       
漏极-源极电压：800V       
漏极电流：1.57A       
耗电：70W       
封装：DPAK       
栅极-源极电压：±30V       
开启状态电阻：4500mΩ       
安装：SMD       
包装类型：卷, 胶带       
半导体设备特性：ESD protected gate

应用
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