RE1C001UNTCL规格参数介绍

RE1C001UNTCL规格参数介绍

规格参数
类别：分立半导体产品       
         晶体管 - FET，MOSFET - 单       
制造商：Rohm Semiconductor       
系列：-       
包装：剪切带（CT）       
FET 类型：N 沟道       
技术：MOSFET（金属氧化物）       
漏源电压（Vdss）：20V       
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：100mA（Ta）       
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V       
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V       
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 100μA       
Vgs（最大值）：±8V       
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：7.1pF @ 10V
型号：RE1C001UNTCL：        [url]http://www.dzsc.com/ic-detail/9_6791.html[/url]
FET 功能：-       
功率耗散（最大值）：150mW（Ta）       
工作温度：150°C（TJ）       
安装类型：表面贴装       
供应商器件封装：EMT3F（SOT-416FL）       
封装/外壳：SC-89，SOT-490

环境与出口分类
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）